المحتوى
أعلنت شركة سامسونج اليوم عن بدء إنتاج كميات كبيرة من السعة التخزينية eUFS 2.1 بسعة تيرابايت. ويأتي هذا الإعلان في أعقاب شائعات بأن الشركة ستقدم البديل Galaxy S10 مع تيرابايت من التخزين. تستخدم وحدة تخزين الفلاش عالية السعة نفس المساحة الفعلية مثل فلاش 512 جيجابايت المعلن مسبقًا والموجود في الإصدار المتطور من Galaxy Note 9.
يعتمد التخزين على تقنية ذاكرة فلاش V-NAND المتقدمة من سامسونج والتي زادت الكثافة ومتطلبات الطاقة المنخفضة وسرعات أسرع عمومًا. إنه يستخدم التراص العمودي لخلايا NAND المفردة والتي ، مقارنةً بترتيب الطبقات الأفقي لـ NAND العادي ، أكثر فاعلية بكثير.
ماذا يمكن أن يتوقع المستخدمون؟
بينما تدعي Samsung أن وحدة التخزين المستندة إلى eUFS 2.1 يمكنها تحقيق سرعات قراءة متتابعة تصل إلى 1000 ميجابايت في الثانية ، إلا أنه من غير المحتمل أن تصل إلى هذا الرقم في العالم الحقيقي. السرعات العشوائية هي الأكثر أهمية والأرقام الأولية الصادرة عن سامسونج تكشف أن هؤلاء الأشخاص قد تحسنوا إلى حد كبير.
يجب أن تساعد سرعات الكتابة العشوائية ، على وجه الخصوص ، في تمكين التطبيقات مثل التصوير المستمر عالي الإطار. حتى الآن اقتصرت معظم الهواتف على بضع ثوان فقط من التقاط الفيديو بمعدل إطارات مرتفع. تقول شركة Samsung إن سرعات القراءة والكتابة الأعلى على حل التخزين الجديد سعة 1 تيرابايت V-NAND ستكون كافية لتمكين تسجيل الفيديو المستمر والطويل المدى بمعدل 960 إطارًا في الثانية.
بدأ إنتاج وحدة تخزين الفلاش في مصنع Samsung في Pyeongtaek ، كوريا ، ونتوقع أن نبدأ في سماع الهواتف التي يتم إطلاقها باستخدام السعة التخزينية العالية في MWC. نظرًا للمضاربة السابقة ، وتأكيد إطلاق Galaxy S10 في 20 فبراير ، فهناك فرصة جيدة لأن نرى التخزين مدرجًا في إصدار من هذا الجهاز.
ما رأيك في تيرابايت من التخزين على الهاتف؟ هل تحمل ما يكفي من الوسائط لتبرير السعة العالية أم أنك تبنت مستقبل السحابة أولاً؟
